《SDRAM历程》:本论文为免费优秀的关于SDRAM历程论文范文资料,可用于相关论文写作参考。
摘 要:该文简述SDRA/VI的发展历程,按SDRAM不同发展阶段,对SDRAM、DDR、DDR2和DDR3等进行分类和介绍.关键词:SDRAM;DDR;DDR2;DDR3
中图分类号:TP311
文献标识码:A
文章编号:1009-3044(2017)15-0213-02
1概述
伴随着计算机技术的不断发展和革新,计算机内存技术也飞速发展,并经历了几次变革.计算机技术对内存技术的需求不断提高,计算机内存向功率更低、速度更快、容量更大、物理封装尺寸更小的方向发展.这些需求正推动着DRAM技术不断发展.由于INTEL的市场领导地位和因为Intel的芯片组对SDRAM的支持,使SDRAM成为市场的标准,本文主要介绍SDRAM内存.
RAM(Random Access Memory)是随机存储器.RAM有两种分类,即动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)和静态随机存储器(Static RAM,SRAM).计算机内存主要使用DRAM.
DRAM,即动态RAM.DRAM具有结构简单、集成度高、功耗低、生产成本低等特点,DRAM可以有很高的密度,用于制造大容量存储器,DRAM应用于大多数内存中.DRAM可分为两种:同步内存和异步内存,同步和异步区分的标准在于是否和系统时钟同步.EDO内存为异步内存,随着处理器速度的不断增加,CPU的性能的发挥严重受制于EDO内存的速度,CPU总需要等待EDO内存的数据,EDO内存的速度成了系统性能的瓶颈.因此,能够与系统时钟同步的SDRAM出现了.
SDRAM是synchronous Dynamic Random Access Memou的缩写,意思为同步动态随机存取存储器,同步于系统时钟频率.由于SDRAM内存访问机制采用突发(burst)模式,SDRAM能够为系统提供高速率的数据吞吐,在提高系统性能的同时,还简化了系统的设计.与以往DRAM相似,SDRAM也才用电容存储数据,因此需要时钟对SDRAM存储的数据进行刷新操作.但是,与DRAM相比,SDRAM进行了结构上的改善,可以称为增强型DRAM,SDRAM的同步特性能够满足高速系统的对内存速度的要求.SDRAM结构的另一大特点,是其支持DRAM的两列地址同时打开,100MHz的无缝数据速率可在整个器件读或写中实现.SDRAM的这些特性使其迅速普及,并不断升级.
2SDRAM的发展阶段
到目前为止,SDRAM大体尽力了5个发展阶段,即SDRAM,DDR,DDR2,DDR3和DDR4.DDR4是市场的主流,DDR5标准还在制定中,预计2018年完成最终的标准制定.
2.1SDRAM
在Intel Celeron系列和AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后,EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了,内存技术必须彻底革新才能满足新一代CPU架构的需求,于是内存到了SDRAM时代.
由于Intel长期处于处理器市场的霸主地位,内存技术的发展也相匹配地与之融合.由于Intel对SDRAM的支持,使SDRAM内存处于内存产品的主流地位,第一代SDRAM内存规范为PC66,后来由于Intel公司和AMD公司的频率竞争,处理器的外部总线频速率迅速上升到100MHz,PCI00内存便很快取代PC66内存,后来出现了外频为133MHz的HII等,便出现了PCI33规范,PCI33规范对SDRAM的整体性能作了进一步提升,将SDRAM带宽提高到1GB/s以上.由于SDRAM内存64bit的总线宽度正好和处理器的数据总线宽度对应,所以一条内存便可支持处理器的工作,更加凸显了SDRAM内存的便捷性.并且,SDRAM内存的性能明显超越了EDO内存,这得益于SDRAM输入输出信号与系统外频同步的特性.
后来由于Intel启动了Pentium 4计划,内存带宽可达到1064MB/s的PCI33规范几经不能满足Pentium 4计划的发展需求,为了市场的占有份额,Intel公司与Rambus公司联合推广了Rambus DRAM内存,Rambus DRAM内存称为RDRAM内存.后来,因为RDRAM内存的PC600、PC700出现了“失误事件”、并且Pentium 4平台因为使用PC800 RDRAM内存,导致成本过高不利于普及,种种问题让RDRAM内存未能得到发展,RDRAM最终被DDR内存所取代.
2.2DDR SDRAM
DDRSDRAM是英文Double Data Rate SDRAM的缩写,简称为DDR,是指双倍速率的SDRAM.SDRAM是在时钟的上升沿传输数据,而DDR在时钟的上升沿和下降沿都能够传输数据,使DDRSDRAM的速度是SDRAM的2倍,而且DDR SDRAM的生產成本并未大幅增加,只有SDRAM生产成本的1-3倍,使DDR SDRAM的优势更加凸显.第二代PC266 DDR SRAM是由PCI33所衍生出来的,其带宽达到了266MHz.
与SDRAM不同,DDRSDRAM运用了更先进的技术,更先进的同步电路.同时,DDR采用DLL延时锁定回路技术,并提供1个数据虑波信号,使DDR控制器可对有效数据进行精确定位.本质上,DDR不需要提高工作时钟频率就能提高数据速率,DDR在时钟的上升沿和下降沿均可以读出数据,所以DDR速度比标准SDRAM提高了1倍.从外形体积上,DDRSDRAM与SDRAM具有相同的针脚距离,以及相同的尺寸.SDRAM采用的支持3.3V电压的LVTTL标准,而DDR SDRAM使用的是2.5V电压的SSTL2标准.
由DDRSDRAM在成本、性能方面提供了良好的解决方案,使DDRSDRAM迅速占领了市场,随后,DDRSDRAM在频率上一步步升级,不断提供解决内存带宽不足的方案.作为第一代DDR规范的DDR200未能得到大范围使用;第二代的DDRSDRAM为PC266规范,是由PCI33 SDRAM规范发展而来,PC266将DDR SDRAM推向了第一个迅猛时期,后来出现了作为过度产品的DDR333内存,在后来出现的DDR400内存成为当时主流平台的选择,后来出现了用于超频方案的DDR533规范.
SDRAM历程论文参考资料:
结论:SDRAM历程为关于对写作SDRAM历程论文范文与课题研究的大学硕士、相关本科毕业论文SDRAM历程论文开题报告范文和相关文献综述及职称论文参考文献资料下载有帮助。